机译:纳米CMOS技术中具有嵌入式SCR结构作为电源轨ESD钳位设备的I / O单元的ESD保护设计
机译:用于65nm CMOS工艺的差分LNA的嵌入式SCR ESD保护二极管设计
机译:嵌入式SCR器件的设计可提高低压CMOS技术中堆叠设备输出驱动器的ESD鲁棒性
机译:具有嵌入式SCR结构的130-NM CMOS技术中I / O单元的ESD保护设计
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:采用嵌入式sCR的EsD保护二极管设计,用于65nm CmOs工艺中的差分LNa